在上周的3G/LTE峰会上,Qualcomm将旗下的骁龙处理器系列进一步完善,推出了骁龙617、430两款新型号,同时也公布了关于骁龙820处理器在调制解调器、快速充电等方面的更多细节。同时高通也确认了Snapdragon 820将于2016年第一季度正式上市销售。高通的高管认为,得益于14nm FinFET工艺打造的最新自主Kyro CPU内核,Snapdragon 820在性能和能效都有大幅提升,确切的说是两倍提升。重点在于,高通采用并深度优化了异构计算模式,让各个组件更好的分工,内核负担减轻不少。![]() Quick Charge 3.0 Qualcomm在此次峰会上还发布了Quick Charge 3.0新一代快速充电技术。Quick Charge 3.0可以向下兼容,支持QC 2.0同时也支持其他传统USB充电设备。另外,Qualcomm无线充电技术WiPower现在已经能够支持金属背板无线充电,基于磁场共振为智能手机充电。 ![]() ![]() 产品、网络、体验三者合一 采访中围绕内核数的问题,Tim将Qualcomm骁龙处理器路线图区分为两部分,中低端产品采用标准的ARM内核(大小核),单核性能相对较低,因而选择在数量上补足,使得加和性能更高,最新发布的骁龙617与骁龙430处理器分别面向中高与低端市场。骁龙处理器采用升级的X系列调制解调器,支持载波聚合,并且同国内的运营商合作发展4G+(基于CA载波聚合技术),首批支持4G+的终端已经率先在国内上市。 ![]() 跑分如何? 骁龙810跑出了63378分,骁龙820早期版本得到了66715分,最新版则达到70661分,勇破7万大关,提升幅度为5%、11%。在各个子项中,多任务、虚拟机、单线程整数、单线程浮点、3D绘图分别提高了41%、60%、38%、77%、13%,但是其他项目表现一般,特别是CPU整数、CPU浮点、内存运算还有明显倒退幅度为25%、18%、33%,3D绘图、数据库I/O则持平。也许目前还只是demo版本,后续在性能上还会有大幅度的提升。 ![]() |
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